图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BSL211SP L6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSL211SP L6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSL211SP L6327价格参考。InfineonBSL211SP L6327封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSL211SP L6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSL211SP L6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6MOSFET P-CH -20 V -4.7 A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 4.7 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSL211SP L6327OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSL211SP_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42af1e2442b |
| 产品型号 | BSL211SP L6327 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 67 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 13.9 ns |
| 下降时间 | 23.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 654pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 67 毫欧 @ 4.7A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TSOP6-6 |
| 其它名称 | BSL211SPL6327INDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 67 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | 4.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.7A （Ta） |
| 系列 | BSL211 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | BSL211SPL6327HTSA1 SP000095797 |
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